存储芯片的繁荣很少持续。高内存价格鼓励制造商增加产能，最终导致供应过多并压低价格。

但当今人工智能 (AI) 驱动的内存需求可能会延长这个周期。内存制造商正在努力提高产量以满足需求。

HBM 需求不断增长

高带宽内存（HBM）对于AI加速器至关重要，但其生产也影响了传统DRAM的供应。 TrendForce估计，到2027年，HBM可能会使用三大内存制造商约30%的DRAM产能，而仅占其生产的内存位数的13%。因此，传统内存的制造能力越来越少，就像人工智能服务器也需要更多的服务器 DRAM 一样。

TrendForce预计，新工厂和更先进的制造工艺将使DRAM位供应量在2027年增加约24%。但这一新供应可能不足以满足需求，因为HBM占用了更多产能，而新设备需要时间才能到达。

内存热潮延伸到美光之外

业界三大内存生产商的财务业绩表明，当前的内存周期有多么强大。

纳斯达克股票代码：MU

美光科技 (MU +2.30%) 的收入同比增长约 346% 至 415 亿美元，而其非 GAAP 毛利率在 2026 财年第三季度（截至 2026 年 5 月 28 日）达到 84.9%。

纳斯达克股票代码：SKHY

SK海力士（SKHY +0.40%）的2026财年第二季度（截至2026年6月30日）收入也同比飙升257%，营业利润同比增长557%。三星（SSNLF +0.00%）在2026年第一季度仍然是全球最大的服务器DRAM供应商，市场份额为38.5%，其次是SK海力士（28.8%）和美光（22.4%）。

还有另一个迹象表明内存市场已经变得多么紧张。 TrendForce发现，自2026年第一季度以来，传统服务器DRAM的生产利润比HBM更高。部分原因是DRAM价格上涨速度更快，而HBM价格则被锁定在长期合同中。因此，人工智能的繁荣不再只让 HBM 受益。由此产生的产能紧张也支撑了整个 DRAM 市场的价格和利润。

增加内存容量

毫不奇怪，三星、SK海力士和美光都在扩大制造能力。 SK 海力士最近批准投资 383 亿美元在韩国建设新的芯片制造工厂，其中包括 HBM 和其他先进 DRAM 产品的产能。美光也在扩大其在美国的 DRAM 制造能力。

据路透社报道，中国长鑫存储技术有限公司是全球第四大 DRAM 制造商。据报道，该公司还计划将其产能增加一倍以上，从每月约 300,000 片晶圆增加到超过 600,000 片。

但新供应上线还需要时间。 TrendForce 表示，设备交货时间长以及产能向 HBM 转移导致 DRAM 供应增长落后于需求。即使制造商扩大生产，这种延迟也可能会延长内存繁荣期。

但这并不意味着繁荣将永远持续下去。 TrendForce预计2027年下半年NAND供应将有所放松，而2027年DRAM产能可能仍将紧张。

因此，对于投资者来说，关键信号将是 DRAM 供应增长何时最终超过需求。在那之前，当前的内存繁荣可能还有更大的运行空间。