美光科技 ( MU -4.08% ) 因其强劲的增长和低廉的估值而成为散户投资者喜爱的股票，而机构投资者对其前景越来越谨慎。最新一位对美光发出警告的投资者是 Ark Investment Management 的 Cathie Wood，她表示，虽然当前趋势呈上升趋势，但内存周期可能“粘稠”，来自中国的竞争加剧最终可能会颠覆市场。
如果以史为鉴，美光科技的股价可能会暴跌，并且可能需要几十年的时间才能恢复。
在最近一次飙升之前，美光科技在 2000 年夏天互联网泡沫破裂之前就创下了历史新高。由于内存短缺推高了平均售价，该公司的收入和利润大幅增长。与此同时，由于Y2K的结束、互联网和Windows 2000的发布引发了巨大的PC周期，对DRAM（动态随机存取存储器）的需求激增。由于电子设备和手机的需求不断增长，NAND（闪存）存储器的价格也飙升。
早在 2000 年初，美光科技的股价就呈抛物线走势，最终暴跌，大约花了二十年时间才恢复元气。最终，这只是该股和该行业多年来经历的巨大繁荣与萧条周期的另一个例子。
美光科技的股价今年也出现了类似的抛物线上涨，尽管与 2000 年相比，它的涨幅看起来很小。因此，虽然从近期收益来看，半导体股票显得极其便宜，但问题是这一次是否会与内存周期不同。
这个内存周期有什么不同吗？
美光目前是三大 DRAM 制造商之一，另外两个是韩国竞争对手三星和 SK 海力士。上季度，该公司 73% 的收入来自 DRAM，26% 来自 NAND。这三个公司合计控制着超过 85% 的 DRAM 市场。
除了三大 DRAM 制造商之外，中国的长鑫存储和台湾的南亚科技也生产 DRAM。与此同时，NAND市场的参与者也越来越多，包括Sandisk、日本Kioxia公司和中国公司YMTC。
目前，人工智能基础设施建设的高需求正在推动内存周期。图形处理单元 (GPU) 等 AI 芯片必须与高带宽内存 (HBM)（一种特殊形式的 DRAM）封装在一起，以减少延迟，同时需要海量固态硬盘 (SSD) 来存储训练数据。三大内存厂商将大部分精力和资源投入HBM，同时导致传统DRAM和NAND价格飞涨。
这最终使美光科技和整个内存行业面临风险。虽然美光科技受益于巨大的 HBM 需求，但传统内存价格才是推动该公司收入大幅增长和毛利率扩张的因素。据我估计，美光科技只有不到 10% 的收入来自 HBM（在预计 546 亿美元的市场中约占 20% 的市场份额）。这使得它非常容易受到普通 DRAM 和 NAND 价格回调的影响。
虽然 HBM 和内存公司首次签署长期合同的旺盛需求确实使当前内存周期的要素与过去有所不同，但风险也在上升。长鑫存储一直在增加 DRAM 产能并占领市场份额，最近宣布在更高效的芯片设计方面取得了有意义的进展。虽然其任何芯片不太可能被允许进入美国数据中心，但仅增加普通 DRAM 的整体供应量就可能对传统内存价格产生重大影响。
如果中国产能增加推动 DRAM 和 NAND 供应增加，导致传统内存价格大幅下跌，我预计历史将在很大程度上重演，美光科技的股价将暴跌，永远不会回到之前的高点。然而，我认为它不会像 2000 年那样崩溃，并且该公司可以保持盈利，与过去的萧条周期不同。不过，我现在还是会避开这只人工智能股票。