花旗研究大幅上调美光科技目标价及盈利预测,认为内存市场超级周期仍在延续,价格上行动能远超此前预期。
据追风交易台,花旗在6月17日报告中,将美光科技目标价从840美元上调至1200美元,维持"买入"评级,调幅达43%。与此同时,团队将美光2026财年及2027财年每股收益预测分别上调4%和10%,其中2027财年每股收益预测为114.73美元,较市场一致预期高出约4%。
此次上调的核心逻辑在于内存价格持续超预期走强。花旗预计,受数据中心需求强劲及供给受限双重驱动,DRAM平均售价2026年全年将上涨200%,NAND平均售价同期涨幅亦达186%,价格上行趋势料延续至2027年。截至6月19日收盘,美光股价报1133美元,新目标价较现价隐含约6%的上行空间。
美光将于6月24日公布2026财年第三季度(截至5月)业绩,管理层届时对长期供货协议及供需展望的最新表态,将成为市场关注焦点。
此次不仅调整全年预测,亦同步上调近期季度预估。报告将2026财年第三季度营收及每股收益预测上调6%,第四季度上调5%,第三季度每股收益同比涨幅从1025%上调至1092%,主要依据为更为乐观的定价预期。
按最新预测,美光2026财年核心每股收益为60.73美元,2027财年进一步跃升至114.73美元,2028财年则为117.83美元。营收层面,预测美光2026财年营收达1150亿美元,2027财年进一步增至1975亿美元。
利润率的扩张幅度尤为显著,充分反映了内存价格上涨对盈利的高度杠杆效应。花旗预计美光2026财年毛利率将从2025财年的39.8%大幅扩张至76.9%,2027财年进一步升至82.9%。
DRAM现货市场已率先反映供需紧张态势。数据显示,DRAM现货价格自今年1月初以来累计上涨52%,自4月初以来涨幅亦达22%。目前现货价格较合约价格溢价21%,花旗认为这一价差预示合约价格仍有持续上行空间。
按季度拆分,花旗预计DRAM平均售价在2026年第二至第四季度将分别环比上涨37%、13%和11%;NAND平均售价同期各季度涨幅则预计为45%、17%和6%,受强劲需求与供应增长放缓共同支撑。
花旗预计2026年全球DRAM市场供给缺口约为5%,且这一供需失衡格局将延续至2027年。报告指出,今年以来DRAM价格上涨主要集中于普通商用DRAM,而非高带宽内存(HBM),预计HBM定价明年将进一步提升,成为下一阶段价格上行的主要驱动力。
供给端方面,TrendForce预测2026年DRAM行业整体产出供给增速约为30%,美光自身产出增速预计达42%。花旗还指出,DRAM持续短缺将加速互补性NAND解决方案的采用,例如KV缓存卸载技术,这一趋势有望同时利好纯NAND标的及半导体设备股。
此外,报告特别提及Vera Rubin平台因DRAM供给有限出现降规格现象,进一步印证了当前供给瓶颈的现实压力。
尽管前景乐观,花旗将目标价设定于修正后2027日历年每股收益的10倍,显著低于美光历史三年峰值估值的17倍。这一折价主要反映当前毛利率处于高位所蕴含的均值回归风险,以及近期Vera Rubin降规格报道带来的供给不确定性。
投资者当前关注的核心议题包括:美光更新后的2026至2027年DRAM及NAND供需展望、长期供货协议(LTA)的签署进展——花旗认为戴尔已完成签约。随着美光6月24日财报的临近,管理层在上述议题上的最新表态将对市场预期产生直接影响。
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