铠侠以新一代闪存芯片亮相AI数据中心市场，叠加CEO强硬表态，提振市场信心，股价上演深V逆转。
铠侠控股周四宣布，已开始向AI数据中心客户送样其第十代BiCS FLASH 3D NAND芯片，并计划于2027年在日本北上工厂启动量产。这是该公司迄今技术规格最高的闪存产品，存储密度较上一代旗舰产品提升约60%，数据传输速率达4.8Gbps，较前代提速约30%。
铠侠首席执行官Hiroo Ota在媒体发布活动上明确表示，"我们没有看到数据中心需求减弱的迹象"，并称公司将"坚定回应市场增长"，暗示不排除进一步增加资本支出。这一表态直接回应了市场对AI存储需求能否持续的疑虑。
Hiroo Ota在发布会上进一步指出，随着AI智能体的兴起以及AI技术在机器人等领域的应用普及，闪存市场的扩张空间将进一步打开。
受新品发布与CEO强硬喊话双重催化，铠侠股价当日上演深V行情——盘中一度重挫逾12%，随后强势反转，最终涨幅扩大至逾10%。铠侠股价今年累计涨幅已超过680%，市值跃升至日本上市公司前列。
第十代芯片：技术路线差异化，剑指超大规模数据中心
铠侠此次送样的BiCS 10芯片采用332层堆叠架构，搭载该公司自主研发的CBA（CMOS直接键合阵列）技术，单颗容量为1Tb TLC存储器件，将用于固态硬盘产品。
值得关注的是，铠侠在层数选择上刻意与竞争对手形成差异。据EE Times Japan报道，铠侠存储业务部门总经理Atsushi Inoue指出，当堆叠层数超过400层时，读写操作中激活的存储层增多，功耗反而上升；同时，更薄的存储单元层可能降低电荷保持能力，影响长期可靠性。
铠侠方面表示，332层设计相较400层以上方案，每GB成本可降低约10%，功耗效率提升约10%，存储单元可靠性提高约35%。CBA技术的持续应用则使铠侠在接口速度上保持领先——该技术自第八代引入以来，已将接口速率从3.6Gbps提升至4.8Gbps，据EE Times Japan估计，这一优势令铠侠在技术进程上领先竞争对手约一年。
BiCS 10将在铠侠位于日本岩手县北上工厂的第二座晶圆厂投产，该厂已于去年9月正式投入运营。
市场份额承压，数据中心是突围关键
尽管技术实力获得认可，铠侠在数据中心NAND市场的份额仍明显落后于韩国对手。据市场研究机构Omdia分析师Akira Minamikawa估计，2025年三星电子在数据中心闪存市场占据约40%份额，SK海力士约30%，铠侠仅约10%。
韩国厂商的优势在于能够将NAND存储芯片与高带宽内存（HBM）捆绑销售，借助HBM业务建立的销售渠道向超大规模数据中心客户一站式供货。铠侠目前不具备HBM产品线，这在一定程度上制约了其在数据中心市场的渗透。
不过，Minamikawa对铠侠的技术竞争力给予正面评价。"铠侠的NAND芯片在数据处理速度方面明显优于竞争对手，而这正是美国超大规模数据中心最看重的指标，"他表示，"第十代芯片在这方面实现了重大突破，竞争力非常强。"
韩国对手加速扩产，行业竞争格局趋紧
铠侠推进新品的同时，韩国竞争对手正在加速布局产能。SK海力士于7月2日宣布计划在清州投资总计100万亿韩元，其中80万亿韩元将用于M17 NAND生产设施。SK海力士CEO Kwak Noh-jung表示，NAND需求正在快速增长而供给仍然偏紧，M17工厂建设计划于明年启动，目标于2029年上半年投入运营。
与此同时，据The Bell今年4月报道，三星电子也计划在其平泽园区P5工厂新建NAND生产线，洁净室预计明年完工。若计划落实，这将是三星自P3工厂以来首次大规模扩充NAND产能。
三大厂商同步扩产，令市场对未来供需平衡及价格走势的担忧有所升温。这也是铠侠股价此前承压的重要背景之一。
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