在半导体制造的宏大链条中，光刻机是聚光灯下的明星，光刻胶是市场热议的焦点，而空白掩膜版（Blank Mask）——这块看似普通的“镀膜玻璃”——却长期处于被忽视的角落。然而，正是这块尚未写入电路图形的“空白光罩”，构成了光刻工艺精度的物理源头，决定了从设计图纸到晶圆良率的最终转化效率。

一、发生了什么？——DUV空白掩膜版开启国产替代之路

1. 什么是空白掩膜版？

空白掩膜版（Blank Mask），又称掩模基板、光罩空白板，是制造光掩模版（Photomask）的基础材料。如果把晶圆制造比作印刷，光刻机就是印刷机，光掩模版就是印刷版，而空白掩膜版则是制造印刷版所使用的“空白钢板”。

从物理构成来看，空白掩膜版是由经过精密抛光的高纯度基板（如合成石英或苏打玻璃）与纳米级功能薄膜层（含遮光膜及光阻层）复合而成。在光刻过程中，空白掩膜版通过曝光、显影、刻蚀等工艺被加工成带有特定图案的光掩模版，再将这些图形转移到晶圆上。空白掩膜版的平整度、膜层均匀性及缺陷密度等关键指标，直接决定了光刻图形转移的精度，进而对芯片制程良率与性能产生决定性影响。

2. 空白掩膜如何分类？

按照光刻波长划分，空白掩膜版主要分为三大类：

第一类是Binary Blank Mask（二元空白掩膜版），主要应用于g-line、i-line以及KrF（248nm）工艺，是成熟制程最广泛使用的类型，通常采用石英基板+铬（Cr）吸收层结构。

第二类是Attenuated Phase Shift Blank Mask（半透相移空白掩膜版），主要对应ArF（193nm）及部分先进工艺。相比传统Binary Mask，其增加了MoSi（钼硅）等相移材料，通过干涉原理提高图形成像对比度，膜层控制难度显著提升。

第三类则是EUV Blank Mask，代表行业最高技术前沿，适配7nm及以下先进制程，需采用超低热膨胀基板（LTEM）及约40-50层Mo/Si多层反射膜结构。

按照应用领域划分，又可分为半导体Blank Mask、FPD（显示面板）Blank Mask及PCB光掩模Blank，其中技术门槛最高、附加值最高的是半导体Blank Mask。

3. 为何人工智能浪潮下DUV空白掩膜版的国产替代格外重要？

市场常将AI与EUV先进制程直接挂钩，但这一认知忽视了AI产业链中更为庞大的成熟制程需求。

首先，中国半导体产业的主体需求仍来自DUV工艺。目前国内绝大多数12英寸晶圆厂的主力工艺仍集中在28nm、40nm、55nm、65nm及90nm等节点，全部依赖KrF和ArF光刻。即便在部分更先进逻辑产品中，由于EUV设备受限，国内厂商仍需依赖ArF浸没式光刻配合多重曝光实现更高精度制造，这不仅没有减少DUV Blank的需求，反而因Mask层数增加提升了高端ArF Blank和PSM Blank的用量。

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