美光科技 ( MU -5.68% ) 过去一年的盈利指数级增长已转化为股市的稳健收益,这家内存巨头的股价在此期间上涨了 637%。

对内存的巨大需求以及随之而来的动态随机存取内存 (DRAM) 和 NAND 闪存存储的短缺推动了该公司的显着增长。美光股票受益于内存价格的抛物线上涨。您现在可能想知道这家雄心勃勃的芯片制造商是否还能继续飙升。

好消息是,它确实可以将炙手可热的涨势维持到 2027 年。要了解为什么会出现这种情况,我们需要仔细研究过去一年推动这家半导体股票飙升的主要催化剂。

内存价格上涨推动美光股价上涨,而且这一趋势将持续下去

人工智能 (AI) 数据中心需要更快的计算内存和充足的存储空间来高效运行训练、推理和代理 AI 工作负载。因此,对 DRAM 和 NAND 闪存的需求开始腾飞。据美国银行称,高带宽内存 (HBM) 尤其造成了巨大的供应短缺,因为它需要制造传统 DRAM 所需的晶圆产能三倍。

纳斯达克股票代码:MU

HBM 在人工智能加速器中至关重要,能够以低功耗快速传输大型数据集。芯片设计人员已将更多 HBM 封装到定制处理器、显卡甚至服务器处理器中,以确保这些芯片不会闲置。毫不奇怪,HBM 市场预计到 2030 年将增长 7 倍,到本十年末将产生 2,460 亿美元的收入。

然而,HBM 需求的蓬勃发展已经在整个存储器行业产生了连锁反应。这些芯片的晶圆密集型特性造成了传统 DRAM 和 NAND 闪存的短缺,因为内存制造商一直优先考虑 HBM 生产以增加利润。据生产 NAND 闪存控制器的台湾群联电子 (Phison) 称,这就是 NAND 闪存价格在 2026 年最后六个月几乎翻倍的原因。

与此同时,据第三方估计,去年 DRAM 价格据称飙升了 170%。内存价格上涨的历史趋势一直是美光科技股价飙升的主要催化剂,并且有充分的证据表明价格将进一步走强,从而导致该半导体股票的上涨空间更大。

例如,SK 海力士预计,即使在增加产能之后,明年的内存短缺情况仍将恶化。随着需求继续超过供应,理想情况下价格应该继续上涨。市场研究提供商 Gartner 预计今年 DRAM 价格将上涨 125%,而 NAND 闪存价格可能会上涨 234%。

If the supply crunch indeed worsens, Micron investors can expect further growth in earnings and margins on account of stronger pricing following a strong jump over the past year.

数据来自 YCharts

盈利大幅飙升表明 2027 年将有更多上涨空间

据市场普遍预测,美光科技本财年的盈利预计将增长近 9 倍,达到每股 73.44 美元。该公司的 2026 财年将于下个月结束。对于将于明年 8 月结束的 2027 财年,分析师预计其盈利将增长一倍以上。

虽然这比 2026 财年的水平增长缓慢,但明年的预计盈利增长仍然相当可观。当然,由于上述原因,美光可以实现更强劲的盈利增长,但即使是预计的底线跳跃也预示着显着的上涨空间。

美光目前的市盈率为 22 倍。根据 YCharts 的数据,这高于该股 14.5 的三年中位市盈率。假设一年后美光的市盈率为 14.5 倍,每股收益为 153.74 美元,其股价可能会跃升至 2,229 美元。在短短一年多的时间里,这可能是 2.8 倍的潜在上涨空间。

因此,这只人工智能股票似乎已准备好在来年迎来另一次大涨,这表明精明的投资者应该考虑在近期下跌后买入它。