媒体：三星电子计划明年年底进行下一代DRAM首批量产

金十数三星电子下一代DRAM量产计划正逐渐明朗。据了解，三星电子目前正与多家合作伙伴联合开发用于第七代10纳米级（1d）DRAM量产的设备，目标最早于明年第二季度引进相关设备，最快明年年底进行首批量产。1d DRAM是指线路宽度约为10至11纳米（nm）的DRAM产品。目前已实现商业化的最新一代产品——第六代10纳米级（1c）DRAM——线宽约为11至12纳米。随着线宽进一步缩小，DRAM的性能和能效也将得到提升。